	Электроннные & оптические материалы A²B⁶ & A³B⁵ соединения
		Русский English

Наша продукция

АРСЕНИД ГАЛЛИЯ (GaAs)

монокристалический
Метод выращивания: Чохральский с жидкостной герметизацией (LEC)

Параметры	Оптические марки		Электронные марки
Легирующий элемент	хром	нет	теллур	кремний	цинк
Тип проводимости		n	n	n	p
Ориентация	(111), (100)
Диаметр, мм	30-100	30-100	30-100	30-100	30-80
Концентрация носителей заряда^*), см^-3			5^·10¹⁶-8^·10¹⁸	1^·10¹⁷-2^·10¹⁸	1.5^·10¹⁷-2^·10¹⁹
Сопротивление Ом·см, не менее	10⁶	10⁷
Подвижность носителей заряда см²/В·с, не менее		5000
Оптическое пропускание на длине волны 10,6 мкм, %, не менее	56	56

^*)Предельные значения концентрации носителей. Возможно получение материала с требуемой концентрацией носителей при разбросе не более ± 20%.
Контроль параметров: стандарты ASTM

Заготовки оптических деталей
Подложки CdTe, CdZnTe (КТ, КЦТ)
Пластины CdHgTe (KPT)

КРЕМНИЙ (Si)

монокристалический
Метод выращивания: Чохральский (Cz)

Параметры	Оптической марки	Электронные марки
Легирующий элемент	нет	бор	фосфор	сурьма	мышьяк
Тип проводимости		p	n	n	n
Ориентация	(111), (100)	(111), (100)	(111), (100)	(111), (100)	(111), (100)
Диаметр, мм	40-100	40-100	40-100	40-100	40-100
Отклонение диаметра, мм	± 0.2	± 0.2	± 0.2	± 0.2	± 0.2
Сопротивление Ом·см	>20	0.005-60	0.11-50	0.008-0.02	0.002-0.006
Разброс сопротивления, %	± 20	± 20	± 20	± 20	± 20
Плотность дислокации, см^-2	<100	<100	<100	<100	<100
Оптическое пропускание в диапазоне длин волн 3-5 мкм, %, не менее	52

Контроль параметров: стандарты ASTM

ВЫСОКОЧИСТЫЕ ВЕЩЕСТВА

Типичное содержание контролируемых примесей, ppbw, не более

	Галлий 6N	Кадмий 6N	Теллур 6N
Mg	10	5	10
Al	20	5	50
Si	50	20	50
S	30	5	10
Ca	50	30	50
Cr	20	5	10
Mn	10	50	5
Fe	50	50	50
Co	5	1	5
Ni	20	5	5
Cu	25	5	10
Zn	50	100	20
Ag	70	50	20
Cd	30	matrix	5
In	50	100	5
Sn	50	50	10
Te	20	50	matrix