	Электроннные & оптические материалы A²B⁶ & A³B⁵ соединения
		Русский English

Основные этапы развития производства

1965 г. — начало производства мышьяка полупроводниковой чистоты и монокристаллов арсенида галлия.

1966 г. — начало производства монокристаллов кремния.

1975 г. — начало производства эпитаксиальных структур арсенида галлия.

1978 г. — начало производства чистых компонентов и монокристаллов твердых растворов кадмий-ртуть-теллур.

1980 г. — начало выпуска специального технологического оборудования.

1985 г. — начало производства монокристаллов арсенида индия.

Технологические процессы организованы на производственных площадях главного технологического корпуса.

Технологические процессы организованы на производственных площадях главного технологического корпуса.

Производство чистых исходных компонентов для соединений А²В⁶ и А³В⁵ основано на методах химической и вакуум-термической очистки, дистилляции, электролиза и направленной кристаллизации (зонная плавка и метод Чохральского).

Синтез соединений А²В⁶ и А³В⁵ основан на методе прямого сплавления компонентов и производится в печах-автоклавах в среде инертного газа. Выращивание кристаллов проводится методом Бриджмена и методом Чохральского.

Готовая продукция поставляется в виде слитков, заготовок, пластин сенсоров.