Частное предприятие "ГАЛАР" (ЧП "ГАЛАР") производит и поставляет полупроводниковые материалы - кремний монокристаллический, соединения А³В⁵, А²В⁶, а также их исходные компоненты высокой чистоты.

ЧП "ГАЛАР" образовано на базе Завода чистых металлов (г. Светловодск, Украина) с использованием более чем 40 летнего опыта научно-производственной деятельности. Базовое предприятие формировалось как многопрофильное предприятие по выпуску полупроводниковых материалов, включая технологии очистки исходных веществ, выращивания кристаллов и их обработку, эпитаксиального выращивания слоев и сборки приборов. К концу 80 годов Завода чистых металлов в своем развитии достиг максимальных объемов производства, а по объемам производства кристаллов арсенида галлия стал самым крупным в Европе. Промышленное производство кристаллов кадмий-ртуть-теллур к тому времени заняло лидирующее место в мире, как по количественным, так и по качественным показателям.

ЧП "ГАЛАР", продолжая лучшие творческие традиции предшествующих лет, активно отстаивает свое достойное место на рынке материалов электронной техники, оптики и оптоэлектроники. Продукция ЧП "ГАЛАР" поставляется во многие страны мира, что является лучшим подтверждением качества продукции и надежности партнерских отношений. ЧП "ГАЛАР" является единственным в Украине специализированным предприятием, работающим по принципу полного технологического цикла, от очистки исходных веществ до готовых изделий с глубокой переработкой отходов полупроводникового производства и утилизацией неперерабатываемых остатков. Большая номенклатура выпускаемой продукции и постоянный рост требований к ее качеству определяют необходимость работы предприятия в тесном сотрудничестве с научными организациями как в Украине, так и за ее пределами. Разработка технологий получения материалов с прогрессивными параметрами и совершенствование системы обеспечения качества являются основными приоритетами развития предприятия.

ЧП "ГАЛАР" производит:
полупроводниковые материалы для изготовления интегральных и дискретных электронных и оптоэлектронных приборов, электронных приборов СВЧ и ИК техники, оптических изделий:

• кремний монокристаллический в виде слитков, пластин, заготовок;
• арсениды галлия и индия поли- и монокристаллические в виде слитков, пластин, заготовок, эпитаксиальных структур;
• теллуриды кадмия, цинка, ртути в виде слитков, пластин, заготовок, эпитаксиальных структур.

Вещества высокой чистоты для производства полупроводниковых материалов, изделий электротехники, пассивных элементов микроэлектроники:

• галлий в виде слитков;
• кадмий в виде слитков, дозированных отливок;
• теллур в виде слитков.